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  • Very low bias stress in n-type organic single-crystal transistors
    [作者:Barra, M; Di Girolamo, FV; Minder, NA; Lezama, IG; Chen, Z; Facchetti, A; Morpurgo, AF; Cassinese, A,期刊:Applied Physics Letters, 页码:133301-133301 , 文章类型: Article,,卷期:2012年100-13]
  • Bias stress effects in n-channel organic field-effect transistors (OFETs) are investigated using N,N'-bis(n-alkyl)-(1,7 and 1,6)-dicyanoperylene-3,4:9,10-bis(dicarboximide)s (PDIF-CN2) single-crystal devices with Cytop g...
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